Forno Lab 1200C PECVD com Tubo de Quartzo e Sistema de Vácuo
A introdução do equipamento: Este equipamento ioniza um gás contendo um átomo constituinte do filme por meio de radiofrequência, etc., e forma um plasma localmente. O plasma é quimicamente ativo e reage facilmente, e um filme desejado é depositado no substrato. A fim de permitir que a reação química prossiga a uma temperatura mais baixa, a atividade do plasma é utilizada para promover a reação e, portanto, o CVD é chamado de deposição química de vapor aprimorada por plasma (PECVD).
Descrição do produto: Este equipamento é um sistema PECVD de zona de temperatura única fixa, que inclui forno de tubo D 6 0x1 0 00L mm de duas zonas de temperatura, fonte de alimentação de RF de plasma de 500 W, sistema de suprimento de ar de fluxo de massa de 3 canais e unidade de vácuo.
Os principais componentes do sistema e características:
O equipamento é composto principalmente por um corpo de fornalha de aquecimento tubular, um sistema de vácuo, um sistema de fornecimento de gás de fluxo de prótons, uma fonte de plasma de radiofrequência, uma câmara de reação de quartzo e similares.
Recurso principal :
1. O gás na câmara de vácuo de quartzo é alterado para um estado iônico por uma fonte de energia de radiofrequência.
2. A temperatura necessária para o PECVD realizar a deposição de vapor químico é menor do que a do CVD comum.
3. A tensão do filme depositado pode ser controlada pela frequência da fonte de alimentação de RF.
4. O PECVD tem maior taxa de deposição de vapor químico, uniformidade, consistência e estabilidade do que o CVD comum.
5. Amplamente utilizado: o equipamento pode depositar SiOx, SiNx, silício amorfo, silício microcristalino, nano-silício, SiC, tipo diamante e outros filmes na superfície da folha ou amostras de formato semelhante, e pode depositar tipo p, n- tipo de dopagem Diversos filmes. O filme depositado tem boa uniformidade, compacidade, adesão e isolamento. Amplamente utilizado em ferramentas de corte, moldes de alta precisão, revestimentos duros, decoração de alta qualidade e outros campos.
Parâmetros Técnicos do PECVD |
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Temperatura máx .: |
1 2 00C |
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Temperatura de trabalho : |
≤1 1 00C |
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Material do tubo : |
tubo de quartzo |
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Tamanho do tubo : |
Diâmetro : 6 0mm, comprimento da zona de aquecimento : 35 0mm |
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Voltagem : |
220 V/50 Hz/ 3 KW |
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Elemento de aquecimento : |
fio de resistência |
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Termopar : |
Tipo K |
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Precisão de temperatura : |
±1℃ |
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Taxa de aquecimento : |
≤ 1 0℃/min |
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Controle de temperatura : |
Controle PID e ajuste de autoajuste, controle programável inteligente de 30 segmentos, com função de alarme de sobretemperatura e interrupção |
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Fluxômetro de prótons |
1. Três estações de mistura de gás controladas por fluxo de massa (MFC) 2. Equipado internamente com medidor de fluxo de massa de display digital de alta precisão para controle preciso do fluxo de gás
3. A faixa de fluxo de gás é 0-500SCCm com um erro de 0,02%
4. Medidor de pressão de vácuo de saída, sistema de mistura de gás embutido,
5. Medidor de válvula de agulha de aço inoxidável, junção de ponteira dupla padrão |
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Fonte de alimentação de RF de plasma |
Potência de saída: 5-500W ±1°C Frequência de RF : 13,56 MHz ± 0,005% Potência refletida: até 100W Correspondência: Automática Interface de RF: 50Ω, tipo N Resfriamento: resfriamento a ar fonte de alimentação : AC 208-240V,50/60HZ |
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Sistema de vácuo |
Conjunto de bombas moleculares de alto vácuo: Unidade de bomba de difusão Grau de vácuo até: 10-1Pa--10-3Pa Conexão rápida KF25, fole de aço inoxidável, válvula manual e flange, bomba de vácuo |
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garantia |
Período de garantia de um ano, manutenção vitalícia (excluindo consumíveis relacionados, como tubos de forno, vedações, etc.) |
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Certificados: CE , ISO e UL |
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Acessórios padrão do pacote: |
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Forno elétrico |
1 conjunto |
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luvas de alta temperatura |
1 par |
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gancho para cadinho |
1 peça |
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tubo de quartzo |
1 peça |
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Flange de aço inoxidável |
1 conjunto |
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rolha de tubo |
2 unidades |
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tubo de ar de 10mm |
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Manual do usuário |
1 livro |
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Bomba de vácuo |
1 conjunto |
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